Phototransistor a trois electrodes de type guide d'onde a couches epitaxiales a bord illumine

La presente invention concerne un phototransistor (5) a trois electrodes de type guide d'onde a couches epitaxiales a bord illumine comprenant une couche (30) de sous collecteur formee d'un materiau semiconducteur quaternaire a croissance epitaxiale, tel que lnGaAsP fortement dope. On fait croitre de maniere epitaxiale une region de collecteur (40) de lnGaAs non dope sur la couche (30) de sous collecteur. On fait croitre de maniere epitaxiale sur la couche de collecteur (40) une region de base (50) comprenant une couche de base (60) de lnGaAs fortement dope et une couche d'espacement tres mince de lnGaAs non dope. On fait croitre de maniere epitaxiale sur la couche de base (50) une region emetteur (80) comprenant une couche (90)de lnGaAsP dope, une couche (100) de lnP dope et une couche (110) de contact d'emetteur de lnGaAs fortement dope. Les diverses couches et les diverses regions sont formees de facon a definir une facette a bord illumine destine a recevoir la lumiere incidente.