Procédé de fabrication de monocristaux de silicium et de lingots de silicium multicristallin

La presente invention concerne un procede d'augmentation de la quantite d'une matiere de type p lors d'un tirage de monocristaux de silicium et d'une solidification directionnelle de lingots de silicium multicristallin a partir d'une masse fondue de silicium contenue dans un recipient ou la masse fondue de silicium contient initialement entre 0,12 ppma et 5 ppma de bore et entre 0,04 ppma et 10 ppma de phosphore. Le tirage de monocristaux et la solidification directionnelle de lingots de silicium multicristallin sont effectues a une pression au-dessous de 600 mbar et un gaz inerte est adresse en continu a la surface de la masse fondue de silicium et retire en continu a partir de la surface de la masse fondue de silicium, ce par quoi du phosphore est retire en continu a partir du silicium fondu pendant le procede de solidification conduisant a un rapport sensiblement constant entre bore et phosphore dans la masse fondue de silicium pendant le tirage des monocristaux de silicium et pendant la solidification directionnelle des lingots de silicium multicristallin.