Diode électroluminescente sans miroir, transparente et verticale

Diode electroluminescente (DEL) (A1, Ga, In)N dans laquelle une lumiere multi-directionnelle peut etre extraite d'une ou de surface(s) de la diode avant de penetrer dans un element optique conique pour etre ensuite diffusee dans l'atmosphere. En particulier, le semi-conducteur (A1, Ga, In)N et les couches de contact transparentes (telles que ITO ou ZnO) sont incorporees - ou combines avec - un element optique faconne comprenant de l'epoxy, du verre, du silicium ou tout autre materiau moule sous forme de cone inverse. La majeure partie de la lumiere qui penetre dans le cone inverse se trouve a l'interieur d'un angle critique et est extraite. De plus, avec la presente invention, la position de la DEL a l'interieur de l'element optique faconne est tournee d'environ 90° par rapport a une diode classique, ce qui permet d'extraire la lumiere plus efficacement de la diode. Cette invention permet egalement de reduire les reflets internes dans la diode par suite de l'absence de miroirs ou de surfaces reflechissantes et donc de diminuer la re-absorption de la lumiere de la DEL par la couche emettrice (ou couche active) de la DEL. Il est possible d'utiliser des electrodes transparentes telles que ITO ou ZnO pour mieux reduire les reflets internes. Une rugosification de la surface par formation de motifs ou gravure anisotrope (c'est-a-dire creation de micro-cones) peut egalement favoriser l'extraction de la lumiere et attenuer de surcroit les reflets internes.