Substrat monocristallin de carbure de silicium et son procédé de production

La presente invention concerne un procede de production d'un substrat monocristallin (10) de carbure de silicium comprenant l'etape suivante dans laquelle : sont prepares un germe cristallin (2) qui presente un plan principal (2a) et qui comprend du carbure de silicium, et une matiere premiere (3) de carbure de silicium, et en provoquant la sublimation de la matiere premiere (3) de carbure de silicium tout en maintenant le gradient de temperature entre deux points donnes dans la matiere premiere (3) de carbure de silicium a une valeur inferieure ou egale a 30°C/cm, un monocristal (1) de carbure de silicium est amene a croitre sur le plan principal (2a). Le plan principal (2a) du germe cristallin (2) est le plan {1} ou un plan decale d'un angle inferieure ou egal a 10° par rapport au plan {1} et la densite des dislocations en spirale au niveau du plan principal (2a) est superieure ou egale a 20/cm 2 . Du fait de cette configuration, l'invention concerne un substrat monocristallin de carbure de silicium dont la qualite du cristal peut etre amelioree et son procede de production.