A method for improving transistor performance by reducing the transistor and Salizidgrenzflächenwiderstandes

Verfahren, welches umfast: Atzen einer Source-Region und einer Drain-Region in ein Siliziumsubstrat, wobei das Atzen ein Unteratzprofil erzeugt; Abscheiden einer Silizium-Germaniumlegierung in der Source-Region und in der Drain-Region; Abscheiden von Nickel auf der Silizium-Germaniumlegierung; Bilden einer Nickel-Silizium-Germanium-Silizidschicht auf der Source-Region und auf der Drain-Region, wobei die Nickel-Silizium-Germanium-Silizidschicht selbstausrichtend ist.