薄膜トランジスタ、配線板、及びそれらの製造方法

薄膜トランジスタのゲート電極或いはゲート配線を、下地密着層、触媒層、配線金属層、配線金属拡散抑止層の順に積層して４層構造にすることよって、密着性及び平坦性を改善した。この場合、下地密着層は金属に配位可能な構造を有する樹脂により形成され、絶縁基板との密着性を改善できた。また、配線金属層上に配線金属拡散抑止層を設けることにより、配線金属の拡散を防止できるため、薄膜トランジスタの特性を改善できる。