Appareil semi-conducteur et processus de fabrication de celui-ci

Un appareil semi-conducteur avec une unite SRAM ayant une paire de transistors d'attaque, une paire de transistors de chargement et une paire de transistors d'acces. Tous les transistors incluent une couche semi-conductrice qui depasse le niveau du plan du corps de base, une electrode grille qui s'etend le long des deux cotes opposes de la couche semi-conductrice situee au-dessus, une pellicule de grille d'isolation agencee entre l'electrode grille et la couche semi-conductrice et une paire de zones source/sortie agencees dans la couche semi-conductrice. Chacun des transistors d'attaque a une largeur de canal plus importante que la largeur de canal du transistor de chargement ou du transistor d'acces au moins.