CuInS 2 薄膜的制备及其光学性能研究

采用水热法将硝酸铜(Cu(NO3)2),硝酸铟(In(NO3)3),硫脲(CH4N2S)混合作为前驱体,在160℃的温度下加热反应3h得到CuInS2颗粒,然后用旋转涂膜的方法得到CuInS2薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线能谱仪(EDS)、X-射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见光分光光度计(UV-Vis)对薄膜进行表征。结果表明,制备的CuInS2薄膜高质量结晶、颗粒均匀、表面平整致密,呈黄铜矿结构,与基底附着性较好。组分接近化学计量比,沿(112)面择优取向生长,另外CuInS2薄膜禁带宽度为1.40eV左右,具有高的吸收系数,适合于制备CIS太阳能电池吸收层。