Evolución de la cristalización y la morfología superficial de películas delgadas de Cu en substratos de SiO2/Si tratadas térmicamente

En este trabajo se estudia la morfologia y cristalizacion de la superficie de peliculas delgadas de Cu (expuestos al medio ambiente) sobre sustratos de SiO 2 /Si. Las muestras fueron sometidas a tratamientos termicos mediante el uso de un horno tubular, en un rango de temperaturas comprendidas entre 250oC y 1000oC durante 3 horas para luego ser enfriadas a razon de 1.4oC/min. La cristalizacion de las muestras luego de los tratamientos termicos fueron caracterizadas mediante difraccion de Rayos X (DRX), mientras que la morfologia de la superficie se analizo usando Microscopia Electronica de Barrido (MEB). Los resultados obtenidos fueron analizados y encontramos que la temperatura de recocido mas optima que mejor la direccion (111) en la pelicula de cobre y que permite conocer la dinamica de los atomos de la superficie del sistema Cu/SiO 2 con respecto a la temperatura, esta comprendida en el rango de 400 y 500oC. Durante todo el proceso de recocido las superficies de las muestras se oxidan y notamos la presencia de siliciuros de cobre