Dispersión Raman, XTEM y AFM de películas epitaxiales de GaAs crecidas en ambiente de hidrógeno atómico

Se crecio una serie de peliculas homoepitaxiales de GaAs empleando la tecnica de transporte de vapor a corta distancia (CSVT) con hidrogeno atomico. Los espectros de dispersion Raman muestran que las peliculas sin impurificacion, cumplen las reglas de seleccion para monocristales mientras que las dopadas con germanio, muestran la presencia de fonones LO y TO del GaAs y una senal en 304.3 cm -1 . Mediante patrones de difraccion por microscopia electronica de transmision (XTEM) se observa una estructura cristalina tipo “mosaico”. Se presentan ademas imagenes de la morfologia superficial obtenidas por microscopia de fuerza atomica (AFM). We have grown a series of homoepitaxial GaAs layers using the close space vapor transport (CSVT) technique and atomic hydrogen. The Raman spectra shows that undoped films follow the selection rules for single crystals while the germanium doped films, shows the LO and TO phonons from GaAs, and additional frequency located at 304.3 cm -1 . By means of X-ray diffraction patterns of transmission electronic microscopy (XTEM), a "mosaic" type lattice was observed. Images of the morphology obtained by atomic force microscopy (AFM) are also presented.