Capteur à semi-conducteurs ayant une structure suspendue et son procédé de fabrication

Selon la presente invention, un dispositif de capteur de gaz a semi-conducteurs comprend un substrat, une couche conductrice soutenue par le substrat, une couche de germe non appropriee et une partie couche poreuse de detection de gaz. La couche de germe non appropriee est formee a partir d'une premiere matiere et comprend une premiere partie support soutenue par la couche conductrice, une seconde partie support soutenue par la couche conductrice, et une partie germe suspendue s'etendant depuis la premiere partie support vers la seconde partie support et suspendue au-dessus de la couche conductrice. La partie couche poreuse de detection de gaz est formee a partir d'une seconde matiere et est soutenue directement par la couche de germe non appropriee en communication electrique avec la couche conductrice. La premiere matiere et la seconde matiere forment une paire de matieres non appropriees.