Module à semi-conducteurs de puissance

La presente invention concerne un module a semi-conducteurs de puissance qui supprime l'augmentation de temperature d'un element semi-conducteur a large bande interdite, qui supprime l'accroissement de la surface occupee globale de l'element semi-conducteur a large bande interdite, et qui peut etre fabrique a bas cout, lorsqu'un element semi-conducteur de Si et l'element semi-conducteur a large bande interdite se trouvent dans le meme module a semi-conducteurs de puissance. Des elements de commutation (4) composes de Si se situent dans une region centrale d'un module a semi-conducteurs de puissance (100), et des elements diodes (5) composes de SiC sont disposes sur les deux cotes de la region centrale du module a semi-conducteurs de puissance (100) ou sur une section peripherique entourant la region centrale.