Substrate processing method, substrate processing apparatus, a semiconductor device manufacturing method and program

シラザン結合を有する膜が形成され、当該膜にプリベークが施されている基板を処理容器内に搬入する工程と、前記基板を第１温度に加熱して当該基板に処理ガスを供給する改質処理工程と、前記基板を前記第１温度より高く、前記プリベーク時の温度以下の第２温度で加熱する乾燥処理工程と、を有する。