Développement d'une source EUV plasma laser pour la micro-lithographie

Le Groupe des Applications Plasma (GAP) du CEA a Saclay participe au projet national PREUVE du Reseau Micro- et Nano-Technologies. Ce projet a ete lance fin 1999 pour reunir et developper les competences en France sur la lithographie dans l'extreme ultraviolet (LEUV). Au sein de PREUVE, notre objectif a ete le developpement d'une source plasma laser dans l'EUV autour de 13nm afin de contribuer a la realisation d'un premier banc d'essai pour la lithographie (BEL) en Europe. Afin de realiser cette source, nous utilisons un plasma emetteur qui est produit par l'interaction d'un laser de type Nd :YAG sur un jet de gouttelettes de xenon. A la fin du projet PREUVE, cette source satisfait les principales specifications et repond en particulier aux besoins en flux de photons EUV pour realiser des tests d'insolation EUV avec le banc d'essai. Suite a ces resultats prometteurs, nous demarrons actuellement un projet industriel EXULITE avec nos partenaires du CEA, d'Alcatel et de Thales sur le developpement d'une source EUV de puissance pour des machines de lithographie de production. Ce projet se terminera en 2005.