DÉpÔt À basse tempÉrature de matÉriaux À mÉmoire de changement de phase

L'invention concerne un systeme et un procede permettant de former un materiau a memoire de changement de phase sur un substrat, le substrat etant en contact avec des precurseurs d'un alliage de chalcogenures a memoire de changement de phase dans des conditions permettant le depot de l'alliage de chalcogenures sur le substrat, a une temperature inferieure a 350°C, le contact etant assure par depot chimique en phase vapeur ou depot de couches atomiques. L'invention concerne egalement divers precurseurs de tellure, germanium et germanium-tellure utiles pour former des films GST a memoire de changement de phase sur des substrats.