The ion implantation apparatus and an ion implantation method

一种离子注入方法，其中在射束扫描方向扫描离子束并且在与射束扫描方向垂直的方向机械地扫描晶圆，该方法包括：将相对于所述离子束的晶圆旋转角度设定使得为是变化的，其中，以阶梯的方式改变所述晶圆旋转角度的设定角度，从而以每个设定角度将离子注入所述晶圆，以及其中，在晶圆旋转一次期间的多次离子注入操作中的以各个设定角度的离子注入中，将晶圆扫描区域长度设定为是变化的，并且同时，改变离子束的射束扫描速度，从而将所述离子注入所述晶圆并且对其他半导体制造工艺中的晶圆表面内剂量不均匀性进行校正。