Traitement thermique de semi-conducteur et systeme a cet effet

La presente invention concerne un systeme de traitement thermique d'un semi-conducteur comportant un systeme d'alimentation comprenant un bruleur (12), un rechauffeur (13) et un distributeur de gaz (14). Le bruleur (12) comporte une chambre de combustion (59) venant a l'exterieur d'une chambre de traitement (21). Le bruleur (12) produit de la vapeur de reaction de l'hydrogene sur l'oxygene dans la chambre de combustion (59) et fournit cette vapeur a la chambre de traitement (21). Le rechauffeur (13) comporte une chambre de chauffe (31) venant a l'exterieur de la chambre de traitement (21). Ce rechauffeur (13) rechauffe les gaz ne passant par la chambre de combustion (59) de facon selective jusqu'au point d'activation ou au-dessus dans la chambre de chauffe (61) avant de le fournir a la chambre de traitement (21). Le distributeur de gaz (14) fournit selectivement, d'une part l'hydrogene et l'oxygene a la chambre de combustion (59), et d'autre part un gaz reactif et un gaz inerte a la chambre de chauffe (61).