窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置の製造方法および窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置

【課題】Ｓｉ電子デバイスとのカップリングの相性が良くて、結晶性も良好な窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置および窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】第１バッファ層成長工程によって、Ｓｉ基板３１の（１００）面上にアモルファスのＡｌＮからなる第１バッファ層３２を成長させた後、第２バッファ層成長工程で、第１バッファ層３２の上に単結晶のＡｌＮからなる第２バッファ層３３を成長させる。最後に、ヘテロ構造作製工程で、上記第２バッファ層３３上にヘテロ構造を構成するＧａＮ層３４とＡｌＧａＮ層３５を順次成長させる。このとき、第２バッファ層３３の結晶構造が、結晶性に優れたシングドメイン構造になって、第２バッファ層３３に形成されるヘテロ構造の電気的特性が優れたものになる。 【選択図】 図３