Mémoire à deux transistors à signal puissant doté de dispositif spin-orbite magnéto-électrique

L'invention concerne un appareil qui comprend : un premier transistor; un second transistor ayant une premiere borne couplee a une premiere borne du premier transistor; un premier conducteur couple a une seconde borne du second transistor; une couche magneto-electrique (ME) couplee au premier conducteur; et une couche ferromagnetique (FM) couplee a la couche ME et a une seconde borne du premier transistor.