Contrôle ultra-rapide et intégré de dv/dt en boucle fermée lors de l’amorçage de transistors à semiconducteurs grand-gap

Dans cet article, nous presentons une technique de controle actif de grille pour maitriser la vitesse de commutation de transistors de puissance a semi-conducteur grand-gap. Un circuit de commande rapprochee innovant, permet de ralentir la vitesse de commutation a l'amorcage du transistor de puissance, reduisant ainsi les perturbations CEM, sans pour autant impacter trop lourdement les pertes de commutation. La methode proposee est implementee dans deux circuits integres en technologie CMOS qui permettent d'obtenir des temps de reaction pour une boucle de retroaction inferieurs a la nanoseconde. Avec de telles performances, il est montre experimentalement qu'il est possible de controler des vitesses de commutation superieures a 100 V/ns sous des tensions de 400 V.