Cellules solaires photovoltaïques

La presente invention porte sur un procede de formation d'un champ de surface cote arriere d'une cellule solaire sans utilisation d'une impression serigraphique. Le procede consiste tout d'abord a former une couche de dopant de type-p directement sur la surface cote arriere du substrat semi-conducteur qui comprend une jonction p-n, a l'aide d'un procede d'electrodeposition. La jonction p-n est definie comme etant l'interface qui est formee entre une partie semi-conductrice de type-n du substrat et une partie semi-conductrice de type-p sous-jacente du substrat. La structure plaquee est ensuite recuite de facon a former une couche de champ de surface cote arriere P++ directement sur la surface cote arriere du substrat semi-conducteur. Facultativement, un film metallique peut etre electrodepose sur une surface exposee de la couche de surface cote arriere P++.