Conception d'un modulateur de puissance large-bande à deux étages en technologie GaN

Dans cet article, nous presentons un modulateur de puissance large-bande 25W, sans melangeur, concu en technologie GaN haute tension (50 V). L’objectif principal de cette etude est de demontrer l’interet a fusionner les fonctions de modulation d’amplitude et d’amplification de puissance afin d’obtenir des performances elevees : un rendement en puissance ajoutee d’environ 40% sur une bande passante de 400 MHz est atteint avec des variations de gain de 10 dB. En utilisant une puissance d’oscillateur local de 19 dBm, une plage de gain en puissance allant de 13 a 24 dB est obtenue selon une commande de polarisation de drain variant entre 15 et 45V.