Fotoluminescencia do InGaAs/InP crescido pela tecnica de epitaxia por feixe molecular

Medidas de fotoluminescencia (PL) em funcao da temperatura e da potencia de excitacao foram realizadas em uma amostra contendo uma camada de In0,53Ga0,47As crescida pela tecnica de epitaxia por feixe molecular-MBE (Molecular Beam Epitaxy) sobre um substrato de InP. As origens dos varios processos de luminescencia observados a baixa temperatura foram determinados estudando seus diferentes comportamentos com o aumento da temperatura e da potencia de excitacao e comparando os resultados com os dados encontrados na literatura. Foram identificadas: uma transicao envolvendo excitons localizados e duas transicoes envolvendo impurezas aceitadoras. Uma revisao dos principais trabalhos publicados na literatura relacionados as transicoes opticas observadas a baixa temperatura no InGaAs/InP tambem e apresentada.