Effect of substrate doping on threshold voltages of buried channel pMOSFET based on strained-SiGe technology

底层基于 strained-SiGe 技术在埋葬的隧道 pMOSFET 的阀值电压上做的效果被学习。由身体上导出阀值电压的模型，相反地首先发生的层是底层做依赖者，这被发现，给对在这台设备的 C-V 特征观察的高原的变化的解释，当做的集中增加。从建议模型获得的阀值电压为在一个重重地做的盒子的表面隧道为在一个轻轻地做的盒子，和 3.41 V 的表面隧道是为埋葬的隧道和 2.9358 V 的 1.2805 V 它与试验性的结果同意很好。另外，有几个设备参数的阀值电压的变化被讨论，它提供珍贵引用给 strained-SiGe 设备的设计者。