Halbleiterbauelement mit einer lateral modulierten Gate-Austrittsarbeit und Herstellungsverfahren

Transistor, welcher umfast eine Gate-Elektrode, welche auf einer auf einem Substrat gebildeten Gatedielektrikumsschicht gebildet ist; ein Paar von Source-/Drainzonen, welche in dem Substrat auf entgegengesetzten Seiten der einander lateral entgegengesetzten Seitenwande der Gate-Elektrode gebildet sind; und wobei die Gate-Elektrode einen zentralen, auf der Gatedielektrikumsschicht uber der Substratzone zwischen den Source-/Drainzonen gebildeten Abschnitt und ein Paar von Seitenwandabschnitten aufweist, welche mit einem Abschnitt der Source-/Drainzonen uberlappen, wobei der zentrale Abschnitt eine erste Austrittsarbeit und das Paar von Seitenwandabschnitten eine zweite Austrittsarbeit aufweisen, wobei sich die zweite Austrittsarbeit von der ersten Austrittsarbeit unterscheidet.