Propriedades ópticas de pontos quânticos semicondutores de InAs/GaAs crescidos por MBE

Pontos quânticos semicondutores (PQs) tem atraido, nas ultimas decadas, consideravel interesse tanto do ponto de vista fundamental quanto tecnologico. Estes sistemas tem sido utilizados para aplicacoes em dispositivos optoeletronicos tais como lasers, detectores, fotodiodos, celulas solares, etc. Porem, muitos aspectos de seu comportamento nao sao compreendidos, incluindo, por exemplo, a captura e fuga dos portadores de carga nos PQs, efeitos de tamanhos nao homogeneos e distribuicao de energia, etc. Pontos quânticos crescidos pela tecnica Stranski-Krastanov (SK) sao ilhas auto-organizadas, favorecidas pelo relaxamento da energia elastica que surge devido a diferenca do parâmetro de rede entre as camadas epitaxiais e o substrato. Um dos desafios no crescimento de PQs por SK e o de ter o controle do tamanho e da distribuicao das ilhas nas amostras. Neste trabalho, uma amostra de PQs auto-organizados de InAs/GaAs crescidos sobre substratos de GaAs(001) por epitaxia de feixe molecular (“MBE”) e atraves da tecnica SK, foi estudada, utilizando a tecnica de fotoluminescencia (PL) em funcao da intensidade de excitacao. Resultados de PL em funcao da intensidade do laser de excitacao permitiram identificar em nossa amostra PQs auto-organizados de InAs/GaAs a formacao caracteristica de ilhas com duas distribuicao de tamanhos diferentes (comportamento bimodal).