Thin film transistor and method of manufacturing the same

提供了一种薄膜晶体管(TFT)和一种制造所述薄膜晶体管的方法。 所述TFT包括：透明衬底；覆盖所述透明衬底的预定区域的绝缘层；在所述绝缘层上形成的、包括源极区、漏极区和沟道区的单晶硅层；以及在所述单晶硅层的沟道区上依次形成的栅极绝缘膜和栅电极。 所述TFT能够通过快速热辐射高速地稳定运行。 并且能够使TFT的尺寸显著降低。