FABRICAÇÃO DE DISPOSITIVO OPTOELETRÔNICO PARA O INFRAVERMELHO TERMAL POR EPITAXIA DE PAREDES

Semicondutores de bandas proibidas estreitas dos grupos IV-VI e II-VI sao muito importantes em optoeletronica, principalmente para detetores e lasers semicondutores no infravermelho. O desenvolvimento destes semicondutores e estimulado por aplicacoes na deteccao e emissao de radiacao infravermelha, tais como: sensores de radiacao termica, comunicacaoporlaser, radares de lasers, espectroscopia de alta resolucao, controle de atitude de satelites, monitoracao de poluicao. Neste trabalho e descrita a tecnica de epitaxia por vapor termicamente colimado - "Hot Wall Epitaxy" (HWE) - bem como a construcao de um sistema de HWE, pelo crescimento de multicamadas, com enfase no composto Pb1-xSnxTe, levando em consideracao quea mesma tecninca e tambem utilizada, entre outros paraZnS, ZnSe, CdS, CdSe, PbS e PbTe.