Organische Feldeffekttransistoren auf Basis halbleitender Polymere

Gegenwartig arbeiten weltweit verschiedene Firmen und Institute an der Entwicklung von organischen Feldeffekttransistoren (OFET) und integrierten polymerelektronischen Schaltkreisen (IPCs) mit dem Ziel der Schaffung einer neuen low-cost/low-performance-Elektronik. Diese eignet sich besonders fur low-end-Elektronik und RFID-Anwendungen, wie elektronische Etiketten, smart cards, ident tags, elektronischer Barcode usw., bei denen grose Stuckzahlen von IPCs zu niedrigsten Preisen benotigt werden. Die Transistoren werden als Dunnschichttransistoren auf flexiblen oder starren Tragermaterialien durch sukzessive Beschichtung mit den jeweiligen Funktionsschichten (Polymerhalbleiter, Dielektrikum, Elektroden) aufgebaut. Dieser Aufbau kann sowohl mit rein organischen bzw. polymeren Materialien als auch in Kombination von organischen und anorganischen Materialien erfolgen. Von besonderer Bedeutung sind hierbei All-Polymer-Feldeffekttransistoren (PFETs), bei denen alle funktionellen Schichten und Strukturen (Source-, Drain- und Gate-Elektroden, Halbleiter, Dielektrikum) aus loslichen Polymeren realisiert werden. Sie eroffnen u. a. die prinzipielle Moglichkeit, fur die Fertigung spater Drucktechniken einzusetzen, die es bei erfolgreichem Abschluss der dazu notwendigen Entwicklungen gestatten werden, die elektronischen Bauelemente mit hohen Durchsatzen zu drucken.