ZnO/In 2 O 3 纳米异质结的合成及其光催化性能的研究

通过热水解法成功制备出了形貌均一的ZnO/In 2 O 3 异质结光催化材料, 采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)以及透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌及结构进行表征。结果表明: ZnO/In 2 O 3 异质结是由直径约200~300 nm、厚度约40~60 nm的六边形纳米片镶嵌着In 2 O 3 纳米小颗粒组成。对比纯ZnO、纯In 2 O 3 和该光催化材料对罗丹明B(RhB)的可见光降解效率, 发现ZnO/In 2 O 3 异质结光催化材料对RhB具有较高的光催化效率, 其原因是窄带系半导体In 2 O 3 能够有效地吸收可见光, 当ZnO与In 2 O 3 形成异质结时, In 2 O 3 能带上被可见光激发的电子会迁移到ZnO的导带上, 而光激发的空穴仍保留在In 2 O 3 价带, 这样有助于光生电子和空穴的分离, 降低其复合几率, 从而有效地提高了ZnO的光催化效率。