Etude du regime de saturation de l'attaque anodique en milieu basique d'electrodes de GaAs1 − xPn

Resume L'attaque anodique de l'electrode de GaAs 0,6 P 0,4 en milieu basique presente pour les potentiels eleves un regime de saturation qui fait suite a un regime apparent de Tafel. Ce palier et la region intermediaire qui le precede ont pu etre interpretes par un modele de reaction des sites superfieciels. Pour verifier ce modele, l'oxydation des ions Br − a la surface a ete utilisee comme reaction competitive.