Composants Passifs Intégrés en Technologie CMOS pour la Miniaturisation des Circuits RF

Une demarche originale pour le developpement de composants passifs dans une filiere industrielle consiste a effectuer un report des contraintes en performances sur les caracteristiques electriques des materiaux utilises en couches minces. Nous presentons dans cet article la demarche adoptee a travers trois phases cles du developpement d’une technologie faibles couts de composants passifs integres en filiere CMOS. Le developpement et la caracterisation de films minces d’oxyde de titane et de tantale. L’integration de films resistifs d’oxynitrure de titane en filiere industrielle et la modelisation electrique d’inductances spirales integrees en CMOS.