Continuous silicon compound having lithographic alignment and registration

Ein Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltkreisstruktur bildet eine erste Offnung in einem Substrat (100; 1 ) und liniert die erste Offnung mit einer Schutzschicht. (102) Das Verfahren lagert Material in die erste Offnung (104) ab und bildet ein Schutzmaterial uber dem Substrat. Das Schutzmaterial enthalt eine Prozess Kontrollmarkierung sowie eine zweite Offnung oberhalb und ausgerichtet an der ersten Offnung. (108) Das Verfahren entfernt das Material aus der ersten Offnung durch die zweite Offnung in dem Schutzmaterial. (110) Die Prozess-Kontrollmarkierung besteht aus einer Aussparung innerhalb des Schutzmaterials, die sich nur teilweise erstreckt durch das Schutzmaterial, so das Teile des Substrats unter der Prozess Kontrollmarkierung nicht betroffen sind von dem Prozess des Entfernens des Materials.