금속산화물/탄소나노튜브 복합체 및 금속산화물 나노막대의제조

2008 
본 발명은 금속산화물/탄소나노튜브 복합체 및 금속산화물 나노막대의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 별도의 산 처리를 통한 탄소나노튜브의 표면 처리 없이 계면활성제의 도입에 의해 금속산화물/탄소나노튜브 복합체를 쉽고 빠르게 합성할 수 있다. 본 발명에 있어서 계면활성제는 탄소나노튜브의 응집을 막아 분산도를 향상시키는 동시에 탄소나노튜브 표면에 계면활성제의 작용기를 생성함으로써 용액 중의 금속 이온 종을 나노 크기, 나노 두께의 금속산화물로 탄소나노튜브 표면에만 핵생성 후 성장을 유도함으로써 금속산화물/탄소나노튜브 복합체가 합성되도록 해 준다. 이와 같이 증착된 금속산화물 코팅층은 탄소나노튜브 상에 매우 균일한 나노미터 수준의 두께로 형성되며, 금속산화물 코팅층은 비정질상(amorphous phase)으로 구성된다. 또한 산소 하의 고온 열처리 공정에 의하여 금속산화물/탄소나노튜브 복합체의 탄소나노튜브를 제거함으로써 단결정질(single crystalline phase)의 금속산화물 나노막대로도 제조된다.
    • Correction
    • Source
    • Cite
    • Save
    • Machine Reading By IdeaReader
    0
    References
    0
    Citations
    NaN
    KQI
    []