Polysilicon thin film transistor and a method of manufacturing a display device and

本发明提供一种多晶硅薄膜晶体管及制作方法和显示装置，所述多晶硅薄膜晶体管包括：衬底；形成于所述衬底上的隔离层；形成于所述衬底和所述隔离层上的多晶硅有源层，在所述有源层的两侧形成有两个源漏离子注入区，其中，所述隔离层的两端边缘在所述有源层的两端边缘内。 在本发明提供的多晶硅薄膜晶体管及其制作方法中，能够增大有源层的晶粒尺寸，提高其沟道区的晶粒均匀性，有效避免有源层受背光照射特性恶化，提高了器件的可靠性。