ЯЧЕЙКА ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ НА ЭФФЕКТЕ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В ОКСИДНЫХ ПЛЕНКАХ HFXAL1 - XOY

Разработан прототип ячеек энергонезависимой памяти на эффекте резистивного переключения в оксидных пленках HfxAl1 - xOy с переменным (по глубине) содержанием Al, выращенных методом атомно-слоевого осаждения. Данный прототип моделирует размещение ячеек памяти между слоями металлизации интегральных схем. В части повышения скорости перезаписи и снижения напряжения перезаписи полученные результаты существенно превосходят параметры традиционной флэш-памяти.