Photoacoustic Measurements of Doped Silicon Wafers

A photoacoustic technique for measuring the thermal diffusivity of semiconductors is described. The method selected for mounting the samples allows to minimize, in the considered frequency range, the effect of thermoelastic bending. The results reported are related to single-crystal FZ n-type silicon wafers of different thickness and dopant concentration. The thermal diffusivity values are in the range quoted in literature and are shown to depend lightly on the dopant concentration in the wafer. Es wird eine photoakustische Technik fur die Montage der Proben ausgewahlt wird, erlaubt im betrachteten Frequenzbereich, den Einflus der thermoelastischen Verbiegung zu minimieren. Die berichteten Ergebnisse sind auf einkristalline n-leitende FZ-Siliziumwafer verschiedener Dicke und Dotierungskonzentration bezogen. Die Werte des thermischen Diffusionsvermogens befinden sich im Bereich der in der Literatur angegebenen Werte und es wird gezeigt, das sie von der Dotierungskonzentration im Wafer schwach abhangen.