Portes logiques à base de CNTFETs : dispersion des caractéristiques et tolérance aux défauts

Parmi les nouveaux nano-dispositifs, les CNTFETs sont des candidats prometteurs. Mais les circuits a base de nanotubes auront une probabilite elevee de defectuosite lors de la fabrication et une assez grande dispersion des caracteristiques. Dans ce contexte, cette these etudie l'implantation de portes logiques elementaires a base de CNTFETs. Une comparaison precise de plusieurs structures logiques montre les avantages de la structure complementaire pour les applications futures. L'influence des variations parametriques sur les caracteristiques des CNTFETs et des portes logiques complementaires est ensuite analysee. Une etude synthetique des defauts et fautes transitoires specifiques aux circuits a base de CNTFETs est presentee. Enfin, une structure logique redondante est proposee pour reduire l'effet des dispersions parametriques et pour ameliorer le rendement de fabrication en tolerant certains defauts.