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低温プロセスによる形成した極薄絶縁膜/Si(001)界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
低温プロセスによる形成した極薄絶縁膜/Si(001)界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
2000
syouzi ryouhei
yosida tosiyuki
hasizume ho
akazawa seidou
hasegawa hideki
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