Transistors having semiconductor layers and compound semiconductor channel layers of different semiconductor material

Ein Transistor kann eine Halbleiterdriftschicht eines ersten Halbleitermaterials und eine Halbleiterkanalschicht auf der Halbleiterdriftschicht beinhalten. Die Halbleiterkanalschicht kann ein zweites Halbleitermaterial verschieden von dem ersten Halbleitermaterial beinhalten. Eine Halbleiterverbindungsschicht kann elektrisch zwischen die Halbleiterdriftschicht und die Halbleiterkanalschicht gekoppelt sein und die Halbleiterverbindungsschicht kann ein drittes Halbleitermaterial verschieden von dem ersten und dem zweiten Halbleitermaterial beinhalten. Zusatzlich kann eine Steuerelektrode auf der Halbleiterkanalschicht vorgesehen sein.