Substrat soi et procédé de réalisation d'un substrat soi

La presente invention concerne un substrat SOI et un procede de realisation du substrat SOI, le procede permettant l'elargissement du substrat et l'augmentation de la productivite. Le procede comprend les operations suivantes : (A) decoupage d'un premier substrat de silicium monocristallin pour former un substrat de silicium monocristallin qui a une taille n (entier positif eventuel, n≥1) fois proportionnelle a celle d'une exposition faite au moyen d'un appareil d'exposition; (B) formation d'une couche isolante sur une surface du substrat de silicium monocristallin, et formation d'une couche de fragilisation dans le substrat de silicium monocristallin; et (C) liaison d'un substrat qui presente une surface isolante au substrat de silicium monocristallin, la couche isolante se trouvant interposee entre les deux, et mise en oeuvre d'un traitement thermique pour separer le substrat de silicium monocristallin le long de la couche de fragilisation, et formation d'un film mince de silicium monocristallin sur le substrat presentant une surface isolante.