Dispositif semi-conducteur et procédé de fabrication de celui-ci

L'invention concerne un dispositif semi-conducteur et un procede de fabrication de celui-ci. Une diode electroluminescente (LED) comprend un substrat conducteur et un empilement de semi-conducteur a base de nitrure de gallium (GaN) positionne sur le substrat conducteur. L'empilement de semi-conducteur comprend une couche active qui est une couche de semi-conducteur semi-polaire. De cette maniere, il est possible d'obtenir une LED ayant une efficacite d'emission de lumiere amelioree.