Photodiode et matrice de photodiodes sur matériau II-VI et leurs procédés de fabrication

Les photodiodes (48) sont formees dans une couche semi-conductrice (13) en Hg 1-x Cd x Te de type P avec 0 ≦ x ≦ 1, deposee directement sur un substrat isolant (11) en CdTe, comportant une zone active (37) de type N, un premier contact electrique (47) sur la couche semi-conductrice, un second contact electrique (45) sur la zone active, un isolant (21) separant les premier et second contacts electriques et une tranchee d'isolement (15) dont la profondeur est superieure a l'epaisseur de la zone active, entourant la zone active, le premier contact electrique (47) etant loge dans le fond (27) de la tranchee.