Blendenelement und optisches System für die EUV-Lithographie

Fur den Einsatz in der EUV-Lithographie wird ein Blendenelement (216) mit einem Durchtrittsbereich (218) fur EUV-Strahlung (218) und einem Abschattungsbereich (220) fur Strahlung (212) in einem anderen Wellenlangenbereich vorgeschlagen, bei dem der Abschattungsbereich (220) Mittel zur Ablenkung der Strahlung (212) des anderen Wellenlangebereichs aufweist. Dieses Blendenelement (216) kann in einem optischen System (200) fur die EUV-Lithographie mit einem diffraktivem optischen Element (202), das EUV-Strahlung (218) an einen anderen Ort ablenkt als Strahlung (212) in einem anderen Wellenlangenbereich, sowie einer Laserplasma-Strahlungsquelle (204, 206), die Strahlung (208) im extremen ultravioletten Wellenlangenbereich und in einem anderen Wellenlangenbereich emittiert, derart angeordnet sein, dass die Strahlung (212) im anderen Wellenlangenbereich auf Materialpartikel (206), die dem Laserstrahl (204) der Strahlungsquelle zugefuhrt werden, gelenkt wird.