Dispositif optique semi-conducteur à base de nitrure, plaquette épitaxiale pour dispositif optique semi-conducteur optique à base de nitrure, et procédé de fabrication du dispositif semi-conducteur électroluminescent

L'invention concerne une couche de puits (21) d'un dispositif optique semi-conducteur a base de nitrure (LE1) induisant une deformation et s'etendant le long d'un plan de reference (SR1) incline a un angle d'inclinaison α par rapport au plan perpendiculaire a un axe de reference s'etendant le long de l'axe c. L'angle d'inclinaison α se trouve dans la plage de 59° a 80° et dans la plage de 150° a 180°. Une couche semi-conductrice a base de nitrure de gallium (P) ayant une largeur de bande interdite superieure a celle de la couche barriere est fournie de facon adjacente a une couche electroluminescente (SP-) ayant un champ piezoelectrique negatif. La direction du champ piezoelectrique dans la couche de puits (W3) va d'une couche n a une couche p, et la direction du champ piezoelectrique dans la couche semi-conductrice a base nitrure de gallium (P) va de la couche p a la couche n. Par consequent, une depression qui n'est pas dans la bande de conduction mais dans la bande de valence se forme a l'interface entre la couche electroluminescente (SP-) et la couche semi-conductrice a base de nitrure de gallium (P).