炭化珪素−酸化物積層体，その製造方法及び半導体装置

【課題】低損失で信頼性の高いＭＩＳＦＥＴなどを作成するための炭化珪素−酸化物積層体，その製造方法及び半導体装置を提供する。 【解決手段】ＳｉＣ基板１０の上に、熱酸化処理により、主としてＳｉＯ 2 からなる酸化物層であるゲート絶縁膜７’を形成した後、チャンバ２０内で不活性なガス雰囲気中でアニールを行なう。その後、真空ポンプ３１が付設されたチャンバ３０内にＳｉＣ基板１０を設置して、１１００℃を超え１２５０℃未満の高温で、減圧されたＮＯガス雰囲気に炭化珪素−酸化物層積層体Ａを暴露すると、ゲート絶縁膜７’内に窒素が拡散して、下部に窒素濃度の高い領域を有する，比誘電率が３．０以上のＶ族元素含有酸化物層であるゲート絶縁膜７が得られる。Ｖ族元素含有酸化物層−炭化珪素層間の界面領域の界面準位密度も低減する。 【選択図】 図４