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EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
2008
teruki isidou
takasi yosi matuo
takuma katayama
tetuzou ueda
kaoru inoue
daisuke ueda
Keywords:
Combinatorics
Applied mathematics
Computer science
Algebra
Discrete mathematics
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