研磨装置、研磨方法、この研磨方法を用いた半導体デバイスの製造方法及びこの半導体デバイスの製造方法により製造された半導体デバイス

【課題】研磨工程全体を通じて研磨圧力をほぼ一定に保つ。 【解決手段】ロードセル８１の上方位置に研磨ヘッド２０を位置させたうえで、ロードセルの荷重検出面と研磨ヘッド２０との間の距離を所定間隔に保ち、研磨パッド４２を上記荷重検出面に接触させて研磨ヘッドの圧力室内に高圧空気を供給させ、ロードセルにより検出される研磨ヘッドからの押付け荷重が目標値と一致したときの高圧空気の圧力を研磨時供給圧力ｐｐとして検出する第１の工程と、ウエハＷの上方位置に研磨ヘッドを位置させたうえで、ウエハＷの表面と研磨ヘッドとの間の距離を上記所定間隔に保ち、研磨パッドをウエハＷの表面に接触させて圧力室内に高圧空気を供給させ、圧力室内の圧力を第１の工程において検出した研磨時供給圧力ｐｐに保持した状態でウエハＷの研磨を行う第２の工程とを交互に行う。 【選択図】図１