Joint structure and processes for their preparation

Es sind ein Verfahren zur Herstellung einer Verbindungsstruktur und eine Verbindungsstruktur vorgesehen. Das Verfahren umfasst Folgendes: Ausbilden einer Offnung in einem Substrat; Ausbilden eines dielektrischen Low-k-Blocks in der Offnung; Ausbilden zumindest einer ersten Durchkontaktierung in dem dielektrischen Low-k-Block und Ausbilden eines ersten Leiters in der ersten Durchkontaktierung. Die Verbindungsstruktur umfasst ein Substrat, einen dielektrischen Block und einen Leiter. Das Substrat weist eine Offnung auf. Der dielektrische Block liegt in der Offnung des Substrats. Der dielektrische Block weist mindestens eine Durchkontaktierung auf. Der dielektrische Block hat eine Dielektrizitatskonstante, die kleiner als die des Substrats ist. Der Leiter liegt in der Durchkontaktierung des dielektrischen Blocks.