Bi掺杂SrTiO 3 陶瓷缺陷结构模拟及介电性能研究

采用固相反应制备Sr1-xBixTiO3陶瓷，研究Bi掺杂对SrTiO3的介电性能、缺陷结构及缺陷偶极子的影响。通过X线衍射(XRD)分析其物相结构，表明在掺杂浓度范围内均未出现第二相。通过GULP模拟，得到Sr1-xBixTiO3中可稳定存在的缺陷偶极子有[2BiSr·+VSr"]、[VO··+VSr"]、[2VO··+VTi''']和[VO··+2TiTi']。各组掺杂陶瓷样品的弛豫特性均满足Arrhenius定律，这是弛豫受热激发所致，随着Bi掺杂量的增加弛豫激活能增加，弛豫度减小。